El grande Coreano -Samsung- lidera el progreso en la fabricación de chips NAND Flash; superando a Toshiba, Intel, Micron y IM Flash Techonologies, comenzando a fabricar y probar los primeros chips NAND Flash con tecnología MLC de 20 nm para tarjetas SD. Este nuevo chip permitirá un almacenamiento mayor a 50% que las partes de 30 nm, además ofrecerá una mayor velocidad y un costo menor. Samsung estima que una tarjeta SDHC de 8GB será un 30% más rápida con una velocidad garantizada de escritura Clase 10 (velocidad de lectura de 20MB/s y velocidad de escritura de 10MB/s).

Por el momento se están probando tarjetas MLC NAND 20 nm de 32 GB, pero se espera que en poco tiempo las veamos dentro de nuestras queridas memorias SD’s, o dentro de dispositivos de pequeño tamaño como teléfonos celulares inteligentes, y con capacidades dese de 4 GB a 64GB haciendo muy tentador el comprarlo. Su comercialización está programada para fines de este año. Por lo tanto, Toshiba comenzará la migración de 32 nm a un proceso todavía no identificado que estará por debajo de los 30 nm, con el objetivo de llegar a los circuitos de 20 nm o menos para comienzos del 2012.

Toda esta modernización trae consigo de la mano memorias más baratas y veloces debido al incremento en la densidad de estas. Samsung dice que sus nuevas memorias serás más confiables y 30% más rápidas que las de 30 nm. El sólo hecho que bajen de precio es una excelente noticia y todos los consumidores estaremos esperando a que lleguen al mercado y poder disfrutar de sus bondades.