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9 de Febrero, 2010

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PRAM, sucesora de la memoria flash

Samsung nos presenta hoy un prototipo de memoria no volátil, que piensan sacar al mercado para el 2008, y es que esta nueva tecnología pretende sustituir a las memorias flash actuales, y ser la merecedora del mercado de memorias no volátiles.

Las PRAM, Phase – change Random Access Memory, están basadas en una arquitectura Charge Trap Flash (CTF) que maneja la información de tal manera que no es necesario borrar la anterior para escribir la nueva, de esta manera se puede escribir 30 veces mas rápido en comparación con las memorias Flash, otorgándole a las PRAM una vida útil mas larga, además Samsung piensa llegar con las PRAM a la capacidad de 64GB.

Esperemos tener antes del 2008 unas memorias de esta tecnología, porque creo que las memorias actuales se están quedando cortas.

Publicado en Almacenamiento por Fanny Nina

Tags: pram , memoria , novolatil

11 de Septiembre, 2006 (00:00H)

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